特許
J-GLOBAL ID：200903062168779870

不揮発性メモリの周辺トランジスタ

発明者：
フリースラー,マイケル・デイビッド

フリースラー,マイケル・デイビッド について

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ランドルフ,マーク・ダブリュ

ランドルフ,マーク・ダブリュ について


出願人/特許権者：
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-584526
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530889
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：
【要約】基板(6)上にコアメモリセル用の領域(2)および周辺領域(4a)を含む不揮発性メモリにおいて、不揮発性メモリの静電放電(ESD)頑強性を向上させるための方法は、周辺領域(4a)における周辺トランジスタ(12)のソース領域(18)およびドレイン領域(20)を第1のn型ドーパントで低濃度ドープするステップと、コアメモリセル用の領域(2)上方および周辺領域(4a)上方にそれぞれ開口(8)を有する二重拡散注入マスク(10)を提供するステップと、周辺領域(4a)上方の開口(8)を通して二重拡散注入を行なうステップとを含む。一実施例では、二重拡散注入を行なうステップが、リンを含む第2のn型ドーパントをソースおよびドレイン領域(18)(20)内へ注入するステップと、第2のn型ドーパントを注入するステップに続いてヒ素を含む第3のn型ドーパントをソースおよびドレイン領域(18)(20)内へ注入するステップとを含む。
請求項（抜粋）：
基板上にコアメモリセル用の領域および周辺領域を含む不揮発性メモリにおいて、前記周辺領域は少なくとも1つのトランジスタのソースおよびドレイン領域を含み、前記少なくとも1つのトランジスタのソース領域とドレイン領域とはチャネル領域により分離されており、前記不揮発性メモリの静電放電(ESD)頑強性を向上させるための方法であって、 (a) ソースおよびドレイン領域を第1のドーパントで低濃度ドープするステップと、 (b) コアメモリセル用の領域上方および周辺領域上方にそれぞれ開口を有する二重拡散注入マスクを提供するステップと、 (c) 周辺領域上方の開口を通して二重拡散注入を行なうステップとを含み、前記二重拡散注入を行なうステップは、 (i) 第2のドーパントをソースおよびドレイン領域に注入するステップと、 (ii) 第2のドーパントを注入するステップに続いて第3のドーパントをソースおよびドレイン領域に注入するステップとを含む、方法。
IPC (10件)：
H01L 21/8234 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (8件)：
H01L 27/10 481 ,  H01L 27/08 102 F ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 371 ,  H01L 27/04 434 ,  H01L 27/04 102 H
Fターム (30件)：
5F038AV06 ,  5F038AV08 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC07 ,  5F048DA25 ,  5F083ZA12 ,  5F101BD07 ,  5F140AA38 ,  5F140AB01 ,  5F140AB07 ,  5F140AC32 ,  5F140BD05 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BH15 ,  5F140BH17 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140DA05 ,  5F140DA08
引用特許：
審査官引用 (15件)
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