特許
J-GLOBAL ID：200903062354817331

プラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物

発明者：
ホンダ,ケンジ

ホンダ,ケンジ について

, 
ロスゲリー,ユージーン・エフ

ロスゲリー,ユージーン・エフ について


出願人/特許権者：
アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド

アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 高木 千嘉 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-512698
公開番号（公開出願番号）：特表2001-501649
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 2001年02月06日
要約：
【要約】2から6のpHを有し、そして(A)水、(B)少なくとも一つの選ばれたヒドロキシルアンモニウム化合物、及び(C)少なくとも一つの塩基性化合物、並びに場合により(D)キレート化安定剤、及び場合により(E)界面活性剤からなる、プラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物。
請求項（抜粋）：
1.(A)水、(B)式 n(NR1R2R30H)+(X-n) (1) (式中、R1、R2およびR3は、独立して水素、1〜4個の炭素原子を有する低級アルキル基、1〜4個の炭素原子を有する低級アルコキシル基、ヒドロキシル基およびヒドロキシ置換された1〜4個の炭素原子を有する低級アルキル基から選ばれるが、但し、R1、R2、およびR3の少なくとも二つは、水素、低級アルキル基または低級アルコキシル基であり、そしてXは水に可溶でアミンまたは第四級アンモニウムヒドロキシドと混和性であるアニオン部分であり、そしてnはXの原子価であって1〜3である)のヒドロキシルアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも一つの酸性ヒドロキシルアンモニウム化合物;および(C)アミン及び第四級アンモニウムヒドロキシドから選ばれる少なくとも一つの塩基性化合物の有効量を含有し、そして2〜6のpHを有することを特徴とする、プラズマエッチング中に形成された残留物を除去するための洗浄組成物。2.ヒドロキシルアンモニウム化合物が、硝酸ヒドロキシルアンモニウム、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、リン酸ヒドロキシルアンモニウム、蓚酸ヒドロキシルアンモニウム、クエン酸ヒドロキシルアンモニウムおよびヒドロキシルアンモニウムクロリドからなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1記載の洗浄組成物。3.ヒドロキシルアンモニウム化合物の量が、洗浄組成物の約1重量%から約70重量%であることを特徴とする、請求項1記載の洗浄組成物。4.アミンがヒドロキシルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレングリコールアミンおよびN-ヒドロキシルピペラジンからなる群より選ばれることを特徴とする、請求項1記載の洗浄組成物。5.第四級アンモニウムヒドロキシドが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリ(ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、テトラ(ヒドロキシエチル)アンモニウムヒドロキシド、およびベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドからなる群より選ばれることを特徴とする、請求項1記載の洗浄組成物。6.塩基性化合物の量が、洗浄組成物の約0.01重量%から約10重量%であることを特徴とする、請求項1記載の洗浄組成物。7.さらにキレート化化合物が存在し、そしてキレート化化合物はトリエチレンテトラアミン、2,2'-〔〔(メチル-1-H-ベンゾトリアゾール-1-イル)メチル〕イミノ〕ビスエタノール、および(2-ベンゾチアゾリルチオ)コハク酸からなる群より選ばれる、請求項1記載の洗浄組成物。8.さらに非イオン性界面活性剤が存在することを特徴とする、請求項1記載の洗浄組成物。9.半導体基板を請求項1記載の洗浄組成物と接触させる工程を有することを特徴とする、該基板の洗浄方法。10.基板を洗浄組成物と接触させる工程の前に、基板を有機溶媒をベースとするフォトレジスト剥離溶液と接触させる追加工程を有することを特徴とする、請求項9記載の方法。
IPC (15件)：
C11D 7/60 ,  C11D 3/06 ,  C11D 3/20 ,  C11D 3/26 ,  C11D 3/28 ,  C11D 3/34 ,  C11D 3/60 ,  C11D 7/06 ,  C11D 7/16 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/3065
FI (15件)：
C11D 7/60 ,  C11D 3/06 ,  C11D 3/20 ,  C11D 3/26 ,  C11D 3/28 ,  C11D 3/34 ,  C11D 3/60 ,  C11D 7/06 ,  C11D 7/16 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 17/08 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/302 N
引用特許：
審査官引用 (17件)
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