ブランクフォトマスク及びそれを使用したフォトマスクの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-235965
公開番号（公開出願番号）：特開2005-062884
出願日： 2004年08月13日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】ブランクフォトマスク及びそれを使用したフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】投光基板上にクロム遮光層が形成され、その上にクロラインガス及び酸素ガスを含むエッチングガスに対して前記クロム遮光層とのエッチング選択比が少なくとも3:1以上になる導電性物質よりなるハードマスク層が形成され、その上にレジスト層が形成されるブランクフォトマスクである。投光基板とクロム遮光層間に位相反転層がさらに形成されうる。ハードマスク層は、望ましくはMoまたはMoSiを使用する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

投光基板と、前記投光基板上に形成されたクロム遮光層と、前記クロム遮光層上に形成され、クロラインガス及び酸素ガスを含むエッチングガスに対して前記クロム遮光層とのエッチング選択比が少なくとも3:1以上になる導電性物質よりなるハードマスク層と、前記ハードマスク層上に形成されたレジスト層と、を含むブランクフォトマスク。

IPC (4件)：

G03F1/08 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/3065

FI (4件)：

G03F1/08 K , G03F7/20 501 , H01L21/30 502P , H01L21/302 105A

Fターム (20件)：

2H095BB02 , 2H095BB36 , 2H095BC05 , 2H095BC11 , 2H095BC16 , 2H097LA10 , 5F004AA04 , 5F004CA02 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004DB15 , 5F004DB18 , 5F004EA03 , 5F004EA05 , 5F004EB07

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6,472,107号公報
米国特許公開第2003/0013023号公報

審査官引用 (10件)

特開昭61-138256
ブランクマスク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-201651 出願人：三星電子株式会社
特開昭63-173051

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