特許
J-GLOBAL ID：200903062573892942

電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動方法及び装置

発明者：
八幡 光一

八幡 光一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275815
公開番号（公開出願番号）：特開2007-089325
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 装置を複雑化させず、IGBT等の電圧駆動型半導体スイッチング素子の損失を低減する。【解決手段】 ゲート駆動回路231の電源電圧Vgsを、電圧指令装置(マイコン)234からの指令により制御可能とし、素子の温度情報、インバータの直流側電圧Vp情報等に応じて変化させ、IGBT211のゲート電圧Vgを調整する。例えば、素子の冷却水の温度が低く、熱的に余裕がある場合には、ゲート電圧を低く設定しノイズを低減する。他方、インバータ21の直流側電圧Vpが高い場合には、ゲート電圧Vgを高くして、IGBTのスイッチング損失を低減する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電圧駆動型半導体スイッチング素子を含む電力変換装置と、前記電圧駆動型半導体スイッチング素子のゲート-エミッタ間にゲート電圧を印加し前記電圧駆動型半導体スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路を備えた電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動方法において、前記電圧駆動型半導体スイッチング素子をターンオンさせるゲート電圧の大きさを、前記電力変換装置の状況に応じて調整することを特徴とする電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動方法。
IPC (1件)：
H02M 1/08
FI (1件)：
H02M1/08 C
Fターム (9件)：
5H740AA03 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740HH07 ,  5H740KK01 ,  5H740NN17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (9件)
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