特許
J-GLOBAL ID：200903050331528253

電力用半導体装置

発明者：
栗秋 和広

栗秋 和広 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-253316
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096318
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】スイッチング素子の温度が上昇しても、スイッチング素子を含む回路の動作を停止させることなくその回路を安定に動作させる過温度保護機能を備えた電力用半導体装置を提供する。【解決手段】本発明による電力用半導体装置は、1以上の半導体スイッチング素子と、そのスイッチング素子を駆動制御する駆動制御回路(22)と、スイッチング素子の各々の近傍に設置された温度検知器(24)と、スイッチング速度可変回路(26)とを備える。スイッチング速度可変回路(26)は、スイッチング素子の温度が所定温度以下の場合、スイッチング素子のスイッチング速度を第1の速度に保持し、前記スイッチング素子の温度が所定温度より大きい場合、前記スイッチング速度を、前記第1の速度よりも速い第2の速度に変化させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
1以上の半導体スイッチング素子と、 前記スイッチング素子を駆動制御する駆動制御回路と を備える電力用半導体装置であって、 さらに、 前記スイッチング素子の各々の近傍に設置された温度検知器と、 前記スイッチング素子の温度が所定温度以下の場合、前記スイッチング素子のスイッチング速度を第1の速度に保持し、前記スイッチング素子の温度が所定温度より大きい場合、前記スイッチング速度を、前記第1の速度よりも速い第2の速度に変化させるスイッチング速度可変回路と を備えることを特徴とする装置。
IPC (7件)：
H03K17/08 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H02M7/537 ,  H03K17/14 ,  H03K17/30 ,  H03K17/56
FI (6件)：
H03K17/08 Z ,  H02M7/537 B ,  H03K17/14 ,  H03K17/30 F ,  H01L27/04 H ,  H03K17/56 Z
Fターム (41件)：
5F038AZ08 ,  5F038BH07 ,  5F038BH16 ,  5F038CA08 ,  5F038DF01 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ20 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007DB03 ,  5H007DC08 ,  5H007FA09 ,  5J055AX34 ,  5J055BX16 ,  5J055BX44 ,  5J055CX19 ,  5J055DX09 ,  5J055DX55 ,  5J055EX02 ,  5J055EX07 ,  5J055EY03 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ00 ,  5J055EZ07 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ25 ,  5J055EZ51 ,  5J055EZ66 ,  5J055FX05 ,  5J055FX06 ,  5J055FX19 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX04 ,  5J055GX05 ,  5J055GX06
引用特許：
審査官引用 (9件)
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