特許
J-GLOBAL ID:200903062608770144

シリコンの精製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-111622
公開番号(公開出願番号):特開2008-266075
出願日: 2007年04月20日
公開日(公表日): 2008年11月06日
要約:
【解決手段】不純物を含有するシリコンと、不純物精製用添加剤として金属カルシウム及び炭化カルシウムのいずれか一方又は両方の固体と、フッ化カルシウムの固体とをシリコンの融点に加熱してシリコンを溶融した状態とし、スラグを形成してこのスラグに不純物を吸収させてシリコン中の不純物を除去することを特徴とするシリコンの精製方法。【効果】本方法と、一方向凝固法、真空溶解法を使用することにより、極めて安価に、金属シリコンを太陽電池に使用可能な高純度シリコンに精製することができる。なお、得られた高純度シリコンは、太陽電池用のシリコン原料に限定されることなく、高純度シリコンを必要とする各種産業に利用することができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
不純物を含有するシリコンと、不純物精製用添加剤として金属カルシウム及び炭化カルシウムのいずれか一方又は両方の固体と、フッ化カルシウムの固体とをシリコンの融点に加熱してシリコンを溶融した状態とし、スラグを形成してこのスラグに不純物を吸収させてシリコン中の不純物を除去することを特徴とするシリコンの精製方法。
IPC (2件):
C01B 33/037 ,  H01L 31/04
FI (2件):
C01B33/037 ,  H01L31/04 H
Fターム (14件):
4G072AA01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH14 ,  4G072JJ09 ,  4G072JJ28 ,  4G072JJ34 ,  4G072MM08 ,  4G072MM38 ,  4G072TT19 ,  4G072UU01 ,  5F051BA11 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20
引用特許:
出願人引用 (10件)
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