半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-018229
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210607
出願日： 2000年01月27日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】高温スパッタリング法を用いたコバルト等のシリサイド化あるいはサリサイド化技術の量産レベルでの確立を図る。【解決手段】シリコン基板表面にスパッタ装置で金属膜を成膜する場合に、予め加熱処理によりシリコン基板1表面の水分を除去しその後に、シリコン基板1をスパッタ装置内に搬送する。そして、高温スパッタリングでN(P)型ゲートシリコン層5(6)、N(P)型拡散層8(9)表面にCo2 Si膜を成膜し、熱処理でCo2 Si膜11をCoSi膜12に更にCoSi膜12をCoSi2 膜13に変換する。ここで、上記の加熱処理は高真空中、不活性ガス雰囲気中あるいは水素プラズマ雰囲気中において行われる。

請求項（抜粋）：

加熱処理により半導体基板表面の水分を除去する工程と、前記水分の除去後、前記半導体基板をスパッタ装置内に搬送し前記半導体基板表面に金属膜を成膜する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/285 S , H01L 21/28 301 T , H01L 27/08 321 F , H01L 29/78 301 P

Fターム (32件)：

4M104BB01 , 4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104DD22 , 4M104DD37 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH16 , 5F040DA10 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040EF02 , 5F040EH02 , 5F040FA03 , 5F040FC19 , 5F048AA08 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048DA17

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-064369 出願人：ソニー株式会社
シリサイドの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-137900 出願人：ソニー株式会社
特開平3-236226

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