特許
J-GLOBAL ID：200903062694996966

電子ビーム露光方法、電子ビーム露光装置、及び半導体素子製造方法

発明者：
山田 章夫

山田 章夫 について


出願人/特許権者：
株式会社アドバンテスト

株式会社アドバンテスト について


代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-182604
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373856
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 ウェハにパターンを精度良く露光することができる電子ビーム露光方法を提供する。【解決手段】 電子ビームにより、ウェハにパターンを露光する電子ビーム露光方法であって、ウェハにおける電子ビームの、照射時間の経過に伴う照射位置ずれを測定する第1測定段階と、第1測定段階において測定された照射位置ずれに基づいて、所定値以下の照射位置ずれで露光可能な時間である第1露光可能時間を決定する第1時間決定段階と、第1露光可能時間内に露光可能な領域である第1部分領域を決定する第1領域決定段階と、ウェハにおいて第1部分領域を露光する第1露光段階とを備える。
請求項（抜粋）：
電子ビームにより、ウェハにパターンを露光する電子ビーム露光方法であって、前記ウェハにおける前記電子ビームの、照射時間の経過に伴う照射位置ずれを測定する第1測定段階と、前記第1測定段階において測定された前記照射位置ずれに基づいて、所定値以下の照射位置ずれで露光可能な時間である第1露光可能時間を決定する第1時間決定段階と、前記第1露光可能時間内に露光可能な領域である第1部分領域を決定する第1領域決定段階と、前記ウェハにおいて前記第1部分領域を露光する第1露光段階とを備えることを特徴とする電子ビーム露光方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305
FI (3件)：
G03F 7/20 504 ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 541 D
Fターム (9件)：
2H097CA16 ,  2H097GB00 ,  2H097KA03 ,  2H097LA10 ,  5C034BB04 ,  5C034BB10 ,  5F056BA08 ,  5F056BC01 ,  5F056CC04
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM