特許
J-GLOBAL ID：200903036313563499
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-338480
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172491
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】先端がほぼ同一平面上にのる複数の突起電極を備えた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一方表面に、活性層2および電極パッド3が形成されウエハWの電極パッド3側の面に、クロムなどからなるストッパマスク層4が全面に形成される。次に、ストッパマスク層4の上に、所定の位置にエッチング用開口5aを有するレジスト膜5が形成され、エッチング用開口5aを介したエッチングにより、ストッパマスク層4に開口4aが形成される(図3(d))。レジスト膜5が除去された後、以上の工程を経たウエハWの上に、開口4aを完全に埋めるように金属膜6が形成される(図3(e))。その後、金属膜6が研磨されて、金属膜6が開口内にのみ存在する状態にされる(図3(f))。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に金属からなり所定の位置に開口を有するストッパマスク層を形成する工程と、
上記ストッパマスク層の開口内に金属材料を供給して当該金属からなる突起電極を形成する金属材料供給工程と、
この金属材料供給工程の後に、上記ストッパマスク層を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (7件)：
H01L21/92 604C
, H01L23/12 501P
, H01L21/92 604A
, H01L21/92 604B
, H01L21/92 604D
, H01L21/92 603C
, H01L21/92 602D
