特許
J-GLOBAL ID:200903063190728339

電子線照射用パターン形成材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 工業技術院産業技術融合領域研究所長
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-243295
公開番号(公開出願番号):特開平11-125904
出願日: 1996年01月31日
公開日(公表日): 1999年05月11日
要約:
【要約】【課題】電子線を用いたリソグラフイー法により、高解像度で、かつナノメーター・オーダーのアスペクト比の高い微細加工が可能な新規な電子線照射用パターン形成材料を提供すること。【解決手段】基板上にフラーレンからなる薄膜層を設けた電子線照射用パターン形成材料。
請求項(抜粋):
基板上にフラーレンからなる薄膜層を設けた電子線照射用パターン形成材料。
IPC (2件):
G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F 7/038 505 ,  H01L 21/30 502 R
引用特許:
審査官引用 (4件)
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