特許
J-GLOBAL ID：200903063718740360

半導体装置の製造方法

発明者：
加藤 政利

加藤 政利 について

, 
荻野 誠裕

荻野 誠裕 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107995
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299461
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 シリコン面にダメージを与えないようにしてゲート電極の側壁にシリコン化合物を残存させるエッチング処理を行なう。【解決手段】 MOSFET11を形成するためのシリコン基板12に、LOCOS13,ゲート酸化膜14,ゲート電極15およびシリコン化合物16を形成する。このシリコン化合物を、第1のエッチング処理工程で、高速でサイドウォール17の形成に適した条件でエッチング処理し、シリコン面が露出する直前で、あらかじめ測定したエッチング時間が経過すると第2のエッチング処理工程に切り換える。第2のエッチング処理工程は、エッチング用のガスの流量比を変えるだけで連続して行なえ、安定した条件で、シリコン面にダメージを与えない条件でエッチング処理を行なえるようになる。
請求項（抜粋）：
表面にゲート酸化膜が形成されたシリコン基板上に所定形状のゲート電極を形成する工程と、このシリコン基板上にシリコン化合物による絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜および前記ゲート酸化膜をドライエッチング処理して除去しながら前記ゲート電極の側壁部分には前記絶縁膜を残存させる工程とを備え、前記ドライエッチング処理を行なう工程においては、前記絶縁膜およびゲート酸化膜のエッチングに伴い前記シリコン基板のシリコン面が露出する直前まで行なう所定の混合ガスによる高反応性エッチング条件での第1のエッチング処理工程と、この高反応エッチング条件でのエッチング処理に続いて行ない、前記混合ガスの流量比を変えてシリコン化合物のシリコンに対するエッチング選択比が高くなるようにして行なう第2のエッチング処理工程とを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 29/78 301 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/302 F
Fターム (31件)：
4K057DA02 ,  4K057DA13 ,  4K057DB06 ,  4K057DB11 ,  4K057DB15 ,  4K057DB20 ,  4K057DD05 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DG07 ,  5F004AA02 ,  5F004AA05 ,  5F004AA06 ,  5F004BD03 ,  5F004CA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F004EB03 ,  5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EB14 ,  5F040EC07 ,  5F040EK01 ,  5F040FA03 ,  5F040FA04 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FC00
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 半導体装置の製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-298488   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-286930   出願人：川崎製鉄株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-176535   出願人：富士通株式会社
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