特許
J-GLOBAL ID：200903064241886798

化合物半導体素子ウェハーの製造方法

発明者：
楠木 克輝

楠木 克輝 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-168174
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024914
出願日： 2005年06月08日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】化合物半導体素子ウェハーの製造方法において、極めて高い歩留まりで正確に切断することができ、さらに加工速度が速く、生産性を改善させることができる化合物半導体素子ウェハーの製造方法を提供すること。【解決手段】基板上に複数の化合物半導体素子が分離帯域を介して配列された化合物半導体素子ウェハーの製造方法であって、その分離帯域の基板表面(半導体側)に、化合物半導体層が存在する状態でレーザー法により割溝を形成することを特徴とする化合物半導体素子ウェハーの製造方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に複数の化合物半導体素子が分離帯域を介して配列された化合物半導体素子ウェハーの製造方法であって、その分離帯域の基板表面(半導体側)に、化合物半導体層が存在する状態でレーザー法により割溝を形成することを特徴とする化合物半導体素子ウェハーの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/073 ,  B23K 26/14 ,  H01L 33/00
FI (6件)：
H01L21/78 B ,  B23K26/00 D ,  B23K26/073 ,  B23K26/14 Z ,  H01L33/00 C ,  H01L21/78 L
Fターム (12件)：
4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA01 ,  4E068CA07 ,  4E068CA09 ,  4E068CB06 ,  4E068CH08 ,  4E068CJ01 ,  4E068DA10 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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