特許
J-GLOBAL ID：200903064388404462

素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法

発明者：
岩渕 寿章

岩渕 寿章 について

, 
柳澤 喜行

柳澤 喜行 について

, 
大畑 豊治

大畑 豊治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119884
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314123
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 基板上の微小な素子を確実に、且つ精度良く転写する。【解決手段】 第1の基板上に配列され絶縁性物質に埋め込まれた素子を第2の基板上に選択的に転写する。このとき、第1の基板の裏面側からレーザ光を照射し、素子及び絶縁物質をレーザアブレーションにより同時に剥離する。補強のため、第2の基板上に転写された素子及び絶縁性物質を覆って樹脂層を形成する。また、転写後の基板表面を酸素アッシングして残渣を除去し、基板を再利用する。
請求項（抜粋）：
第1の基板上に配列され絶縁性物質に埋め込まれた素子を第2の基板上に選択的に転写する素子の転写方法において、第1の基板の裏面側からレーザ光を照射し、上記素子及び絶縁物質をレーザアブレーションによりともに剥離することを特徴とする素子の転写方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/33
FI (3件)：
H01L 33/00 A ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/33 Z
Fターム (16件)：
5C094AA43 ,  5C094BA24 ,  5C094CA19 ,  5C094DA11 ,  5F041AA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F041DA82 ,  5F041DB08 ,  5F041DC08 ,  5F041FF06 ,  5G435AA17 ,  5G435BB04 ,  5G435CC09 ,  5G435EE33 ,  5G435KK05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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