特許
J-GLOBAL ID:200903064434494633

樹脂封止型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-110449
公開番号(公開出願番号):特開2007-287765
出願日: 2006年04月13日
公開日(公表日): 2007年11月01日
要約:
【課題】樹脂封止型半導体装置において、樹脂密着性を確保しつつ、リード認識性とはんだ濡れ性との両性能を確保するのに適したアウターリードの構成を実現する。【解決手段】リードフレーム30と半導体素子20とを互いに電気的に接続し、これらをモールド樹脂50で封止するとともに、インナーリード31の表面を、リードフレーム30の母材30aの表面よりも粗化された粗化メッキ膜331により形成し、アウターリード32を、プリント基板とはんだ付けするようにした半導体装置100において、アウターリード32の表面を、リードフレーム30の母材30aの表面よりも粗化された粗化メッキ膜332により形成し、インナーリード31における粗化メッキ膜331の方を、アウターリード32における粗化メッキ膜332よりも粗度を高くした。【選択図】図1
請求項(抜粋):
リードフレーム(30)と半導体素子(20)とが互いに電気的に接続されており、 これら半導体素子(20)およびリードフレーム(30)がモールド樹脂(50)で封止されており、 前記リードフレーム(30)のインナーリード(31)の表面は、前記リードフレーム(30)の母材(30a)の表面よりも粗化された粗化メッキ膜(331)により形成されており、 前記リードフレーム(30)のアウターリード(32)は、前記モールド樹脂(50)の外部にて、プリント基板(200)とはんだ付けされるようになっている樹脂封止型半導体装置において、 前記アウターリード(32)の表面は、前記リードフレーム(30)の母材(30a)の表面よりも粗化された粗化メッキ膜(332)により形成されており、 前記インナーリード(31)における前記粗化メッキ膜(331)の方が、前記アウターリード(32)における前記粗化メッキ膜(332)よりも粗度が高いことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (1件):
H01L 23/50
FI (2件):
H01L23/50 D ,  H01L23/50 H
Fターム (10件):
5F067AA04 ,  5F067AA05 ,  5F067AA13 ,  5F067AB02 ,  5F067AB03 ,  5F067BC01 ,  5F067DC11 ,  5F067DC19 ,  5F067DC20 ,  5F067EA04
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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