特許
J-GLOBAL ID:200903064499227659

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 登夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-152679
公開番号(公開出願番号):特開2000-348897
出願日: 1999年05月31日
公開日(公表日): 2000年12月15日
要約:
【要約】【課題】 プラズマを安定性良く発生させるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 試料台3外周の上部には、反応室2内壁との間に、ガス分散板31が配されている。アルミニウム製のガス分散板31は円環状を有し、12個の分散孔31a,31a...が軸対称に等間隔で形成されている。ガス分散板31はスイッチ30を介して接地されており、スイッチ30のオン/オフにより試料台3の対向電極になるか、又は電気的に浮遊した状態に切り換えられる。試料台3の対向電極となった場合、反応室2内壁と合わせて対向電極の面積が大きくなり、反応室2内のプラズマのポテンシャルが安定する。
請求項(抜粋):
マイクロ波発振器から導入されたマイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に接続され、前記マイクロ波を放射せしめるスリットを有する環状のアンテナ部と、該アンテナ部の下面に対向配置されたマイクロ波導入窓で封止された反応室と、該反応室内に配され、高周波が印加される試料台とを備えるプラズマ処理装置であって、ガス流を分散する分散孔を有し、前記反応室の側壁と前記試料台との間で前記マイクロ波導入窓に対面配置され、電気的に接地されるべき電極板を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件):
H05H 1/46 ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (6件):
H05H 1/46 B ,  C23C 16/511 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B
Fターム (40件):
4K030DA04 ,  4K030EA08 ,  4K030FA01 ,  4K030KA12 ,  4K030KA15 ,  4K030KA20 ,  4K030KA22 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  4K057DA02 ,  4K057DA11 ,  4K057DA16 ,  4K057DB06 ,  4K057DB11 ,  4K057DB15 ,  4K057DB20 ,  4K057DE06 ,  4K057DM09 ,  4K057DM10 ,  4K057DM29 ,  4K057DM37 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004BB14 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004DB03 ,  5F045AA09 ,  5F045BB01 ,  5F045DP04 ,  5F045EB03 ,  5F045EE20 ,  5F045EF05
引用特許:
審査官引用 (12件)
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