特許
J-GLOBAL ID：200903064971900354

広域エネルギーレンジ放射線検出器及び製造方法

発明者：
畑中 義式

畑中 義式 について

, 
青木 徹

青木 徹 について


出願人/特許権者：
国立大学法人静岡大学

国立大学法人静岡大学 について


代理人 (1件)： 梅村 勁樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-418086
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183454
出願日： 2003年12月16日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】従来、軟X線及び硬X線の双方に対して良好な感度を得ることは困難であった。 【解決手段】検出素子をSiとCdTeとのタンデム構造とする。また、Si基板3とCdTe基板4との間にIn(インジウム)を間挿して、一体化を図ることにより強度を高めるとともに、Si基板3により軟X線を検出し、CdTe基板4により硬X線を検出する。また、CdTe基板4側に分離帯14を設けることにより、電気的に各検出素子が分離でき、2次元画像センサとなり得る。 【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
II-VI族半導体とIV族半導体との積層構造を有し、広レンジの放射線エネルギー検出を可能にする広域エネルギーレンジ放射線検出器。
IPC (4件)：
H01L31/09 ,  G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H04N5/32
FI (4件)：
H01L31/00 A ,  G01T1/24 ,  H04N5/32 ,  H01L27/14 K
Fターム (37件)：
2G088EE01 ,  2G088EE30 ,  2G088FF02 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ37 ,  4M118AB01 ,  4M118BA01 ,  4M118BA03 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA22 ,  4M118CA23 ,  4M118CA25 ,  4M118CA27 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  5C024AX11 ,  5C024CX41 ,  5C024CY01 ,  5C024GX02 ,  5C024GZ01 ,  5C024HX01 ,  5F088AA03 ,  5F088AB02 ,  5F088AB07 ,  5F088AB09 ,  5F088BA07 ,  5F088BA18 ,  5F088BB06 ,  5F088CB20 ,  5F088EA04 ,  5F088EA13 ,  5F088EA14 ,  5F088LA07 ,  5F088LA08
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体に基づくX線検出装置
    公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-509915   出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク, ソシエテソフラデイール
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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