特許
J-GLOBAL ID：200903065439926082

半導体発光素子及びZnO膜の形成方法

発明者：
門田 道雄

門田 道雄 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205391
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036618
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 基板の上にc軸配向性の良好なZnOバッファ層を形成し、その上に良好なGaNを含む半導体層を成長させる。【解決手段】 Si基板2の上に形成するZnOバッファ層3の膜厚を3500Å以上とする。これによってc軸配向したZnOバッファ層3のロッキングカーブ半値幅は4.5 ゚以下となり、c軸配向性の良好なZnOバッファ層3を得ることができる。よって、この上に形成されるGaN層4の結晶性を良好にできる。
請求項（抜粋）：
InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体を用いた半導体発光素子において、基板上に膜厚が3500Å以上のZnOバッファ層をc軸配向させることによってロッキングカーブ特性の良好なZnOバッファ層を形成し、このZnOバッファ層の上にGaNを含む半導体層を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Fターム (8件)：
5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB07
引用特許：
審査官引用 (7件)
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