特許
J-GLOBAL ID：200903065533463703

p型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びAlGaInN系発光素子の製造方法

発明者：
金田 直樹

金田 直樹 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 油井 透
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-005221
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189028
出願日： 2006年01月12日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なMgドープのp型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたp型窒化ガリウム系半導体の製造方法において、水素及び窒素を含む雰囲気でV族原料として実質的にアンモニアのみを使用して、Mgをドープした前記p型窒化ガリウム系半導体104を結晶成長させる工程と、前記結晶成長工程後に窒素及び有機窒素原料を主体とし、水素の体積率が40%以下である雰囲気で冷却する工程とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたp型窒化ガリウム系半導体の製造方法において、 水素及び窒素を含む雰囲気でV族原料として実質的にアンモニアのみを使用して、Mgをドープした前記p型窒化ガリウム系半導体を結晶成長させる工程と、 前記結晶成長工程後に窒素及び有機窒素原料を主体とし、水素の体積率が40%以下である雰囲気で冷却する工程と、 を含むことを特徴とするp型窒化ガリウム系半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/343 ,  C23C 16/34
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01S5/343 610 ,  C23C16/34
Fターム (27件)：
4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA12 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045HA11 ,  5F173AH28 ,  5F173AJ04 ,  5F173AP05 ,  5F173AR64 ,  5F173AR81 ,  5F173AR92
引用特許：
出願人引用 (6件)
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