特許
J-GLOBAL ID：200903065586969765
光電変換素子の製造方法、および電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 田中 克郎
, 大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-088852
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269935
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 本発明は、PIN構造の太陽電池で必要とされるミクロンオーダーのI型半導体層を、液体シリコン材料を用いて安価に製造する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板(10)上に、第1の電極(12)と、P型またはN型の第1の半導体層(14)と、I型の第2の半導体層(16)と、N型またはP型の第3の半導体層(18)と、第2の電極(20)と、を形成する工程を含み、前記I型の第2の半導体層を形成する工程が、第1の半導体層上に、ケイ素化合物を含有する液滴を島状に配置してシリコン膜の前駆体膜(16’)を形成する工程と、前駆体膜に加熱処理または光照射処理を行って、前駆体膜をシリコン膜(16)に変換する工程と、を含む光電変換素子の製造方法を提供する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上に第1導電型半導体層を形成する工程と、
前記第1導電型半導体層上にI型半導体層を形成する工程と、
前記I型半導体層上に前記第1導電型とは異なる第2導電型半導体層を形成する工程と、
前記第2導電型半導体層上に第2の電極を形成する工程と、を含み、
前記I型半導体層を形成する工程が、
前記第1導電型半導体層上に、ケイ素化合物を含有する液滴を島状に配置して前記I型半導体層の前駆体膜を形成する工程と、
前記前駆体膜に加熱処理または光照射処理を行って、前記前駆体膜を前記I型半導体層に変換する工程と、を含む光電変換素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F051BA04
, 5F051BA05
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA04
, 5F051CA06
, 5F051CA20
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA08
, 5F051GA03
出願人引用 (6件)
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太陽電池の製造方法
公報種別：再公表公報
出願番号：JP2000001989
出願人：セイコーエプソン株式会社, ジェイエスアール株式会社
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シリコン膜パターンの形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-098154
出願人：セイコーエプソン株式会社
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薄膜形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-367548
出願人：日本電気株式会社
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審査官引用 (5件)
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