ドライエッチング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-344081
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160549
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】金属材料で構成されたメタルゲート電極のドライエッチ時のゲート酸化膜破れを抑制するドライエッチング方法を提供する。【解決手段】本発明は、タングステンを含む金属材料で構成されたメタルゲート電極4のドライエッチングにパルス変調プラズマを適用することにより、ゲート酸化膜2に損傷を与えないドライエッチング方法を提供するものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上のゲート絶縁膜上に形成された高融点金属膜を含む積層膜をエッチングしてゲート電極を形成するためのエッチング方法であって、前記エッチングが時間変調された高周波励起プラズマによって行われることを特徴とするドライエッチング方法。

Fターム (22件)：

5F004AA05 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA02 , 5F004DA03 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA16 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DA29 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB12 , 5F004EA28 , 5F004EB02

引用特許：

審査官引用 (10件)

試料の表面処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-036226 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-120150 出願人：新日本製鐵株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-209094 出願人：株式会社東芝

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