特許
J-GLOBAL ID：200903065632843275
フォーカスリング及びプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-242218
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277369
出願日： 2004年08月23日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】処理の面内均一性を向上させることができるとともに、半導体ウエハの周縁部裏面側に対するデポジションの発生を従来に比べて低減することのできるフォーカスリング及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空チャンバー1内には、半導体ウエハWが載置される載置台2が設けられており、この載置台2に載置された半導体ウエハWの周囲を囲むように、フォーカスリング8が設けられている。フォーカスリング8は、誘電体からなるリング状の下側部材9と、この下側部材9の上部に配置され、導電性材料からなるリング状の上側部材10とから構成されており、上側部材10は、その上面の外周側が、半導体ウエハWの被処理面より高い平坦部10aとされ、この平坦部10aの内周部が、外周側が内周側より高くなるよう傾斜する傾斜部10bとされている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の前記被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、前記被処理基板の周囲を囲むように配置された環状のフォーカスリングであって、
誘電体からなる下側部材と、この下側部材の上部に配置され導電性材料からなる上側部材とを具備し、
前記上側部材は、上面に、外周側が内周側より高くなる傾斜部が形成され、かつ、当該傾斜部の外周側端部は、少なくとも前記被処理基板の被処理面より高い位置になるよう構成され、前記被処理基板の周縁部と所定間隔を設けて配置されることを特徴とするフォーカスリング。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/302 101B
, H05H1/46 M
5F004AA01
, 5F004BA04
, 5F004BB13
, 5F004BB29
, 5F004BB32
, 5F004EB01
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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