半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-084251
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345267
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をTFTのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能なTFTを実現することを目的とする。【解決手段】レーザ光強度を所望の空間分布で変調させることができ、かつ、レーザ光を直接吸収しない材料から構成されるマスクを介してレーザ光を照射する。レーザ光強度分布を反映して、半導体内部に温度分布ができる。これを利用してラテラル成長の発生場所および方向を制御し、基板の任意の位置に大きな結晶粒径を作製する。

請求項（抜粋）：

基板の一主表面に密接して下地膜を形成する工程と、前記下地膜上に半導体薄膜層を形成する工程と、前記半導体層に、レーザー光を照射することで結晶性を有する半導体層を形成するレーザー結晶化工程と、該半導体層を活性層とする薄膜トランジスタを設けた半導体装置の作製方法において、前記レーザー結晶化工程は、レーザー光の透過率を変化させるマスクを介することで強度を空間変調し、かつ、レーザー光は該マスクによって吸収されないことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (11件)

薄膜トランジスタおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-218380 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
Si微結晶構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-186637 出願人：科学技術庁金属材料技術研究所長
特開昭57-181537

全件表示

前のページに戻る