特許
J-GLOBAL ID：200903066368311550

基板処理方法及びそれに用いる薬液

発明者：
城戸 秀作

城戸 秀作 について


出願人/特許権者：
鹿児島日本電気株式会社

鹿児島日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-230633
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159292
出願日： 2004年08月06日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 有機膜パターン或いは基板に与えるダメージを抑制することが可能な基板処理方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法である。有機膜パターン加工処理では、有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理と、有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理(ステップS3)と、をこの順に行う。除去処理の少なくとも一部を、有機膜パターンに対する薬液処理(ステップS1)により行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法において、 前記有機膜パターン加工処理では、 前記有機膜パターンの表面に形成された変質層又は堆積層を除去する除去処理と、 前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、 をこの順に行い、 前記除去処理の少なくとも一部を、前記有機膜パターンに対する薬液処理により行うことを特徴とする基板処理方法。
IPC (4件)：
H01L21/027 ,  G03F7/40 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065
FI (4件)：
H01L21/30 572B ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/302 104H ,  H01L21/306 D
Fターム (26件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA07 ,  2H096HA11 ,  2H096JA04 ,  2H096LA01 ,  2H096LA03 ,  2H096LA06 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F004EA28 ,  5F004FA08 ,  5F043CC14 ,  5F043DD01 ,  5F043DD12 ,  5F046MA02 ,  5F046MA05 ,  5F046MA12 ,  5F046MA13 ,  5F046MA17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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