特許
J-GLOBAL ID：200903066390821944

電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びそれを用いた電子源

発明者：
山田 貴壽

山田 貴壽 について

, 
鹿田 真一

鹿田 真一 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-282977
公開番号（公開出願番号）：特開2007-095478
出願日： 2005年09月28日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
【課題】 本発明は、電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びこれを用いた低電圧動作可能な冷陰極表面構造に利用できる安定で優れた電子放出特性を示すダイヤモンド電子源を提供する。【解決手段】 電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜であって、ダイヤモンド基板上に、マイクロ波CVD法によってメタンと水素のガス及びリン雰囲気中で,ダイヤモンド膜を成長させるに際して、リン添加源として、ターシャルブチルリンを用い、リンを濃度1015cm-3以上含有し、抵抗率が107Ωcm以下であり、電子放出開始電圧が30V以下であることを特徴とするリン添加ダイヤモンド膜の製造方法及びそれを用いたダイヤモンド電子源。【採用図面】 図2
請求項（抜粋）：
リンを濃度1015cm-3以上含有し、抵抗率が107Ωcm以下であり、電子放出開始電圧が30V以下であることを特徴とするダイヤモンド膜。
IPC (2件)：
H01J 1/304 ,  H01J 9/02
FI (2件)：
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B
Fターム (19件)：
5C127AA01 ,  5C127AA20 ,  5C127BA09 ,  5C127BB06 ,  5C127CC03 ,  5C127CC62 ,  5C127CC63 ,  5C127DD08 ,  5C127DD09 ,  5C127EE06 ,  5C135AA09 ,  5C135AB06 ,  5C135FF18 ,  5C135FF19 ,  5C135FF20 ,  5C135GG06 ,  5C135GG12 ,  5C135GG13 ,  5C135HH06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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