特許
J-GLOBAL ID：200903066401078270
マスク、半導体装置および露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256000
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068616
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 電子線露光によるパターン転写を行う場合に、マスクを高速移動すると、加速時に露光装置からマスクに加わる力によってマスクが劣化、変形するため、これを防止する。【解決手段】 各露光単位領域16が、その境界部に形成された梁18aによって囲まれた構造のマスクにおいて、一群の露光単位領域を、マスク上に鈍角のみからなる多角形の梁構造領域15を構成するように配置する。または、梁構造領域15の周辺に、応力を吸収するための応力緩和領域を設ける。または、露光単位領域16の配置を千鳥状にする。
請求項（抜粋）：
複数の露光単位領域と、互いに隣接する露光単位領域の境界部に形成された梁とを備えたパターン転写用のマスクであって、隣接して配置された一群の露光単位領域が、前記マスク上に鈍角のみからなる多角形の梁構造領域を構成するように配置されていることを特徴とするマスク。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G03F 1/16
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00
G03F 1/16 B
, G03F 1/16 E
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00 H
, H01L 21/30 541 S
2H095BA08
, 2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H097BA10
, 2H097CA16
, 2H097GB00
, 2H097KA03
, 2H097LA10
, 5F056AA22
, 5F056FA05
