III族窒化物半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-191100
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021756
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】 p型のIII族窒化物半導体の表面に、n型またはi型のIII族窒化物半導体を結晶成長するとともに、n型またはi型のIII族窒化物半導体の一部をエッチングしないでp型のIII族窒化物半導体の表面を露出させる【解決手段】 p型の不純物を含む第1のIII族窒化物半導体領域28の表面の一部に不純物拡散防止膜36を備えている。第1のIII族窒化物半導体領域28と不純物拡散防止膜36を介して向かい合う位置に、n型の不純物を含むかまたはi型の第2のIII族窒化物半導体領域44を備えている。また、第1のIII族窒化物半導体領域28と不純物拡散防止膜36を介さないで向かい合う位置に、p型の不純物を含む第3のIII族窒化物半導体領域30を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型の不純物を含む第1のIII族窒化物半導体領域と、第1のIII族窒化物半導体領域の表面の一部を覆っている不純物拡散防止膜と、第1のIII族窒化物半導体領域と不純物拡散防止膜を介して向かい合っているとともにn型の不純物を含むかまたはi型の第2のIII族窒化物半導体領域と、第1のIII族窒化物半導体領域と不純物拡散防止膜を介さないで向かい合っているとともにp型の不純物を含む第3のIII族窒化物半導体領域、を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/80 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (6件)：

H01L29/78 652T , H01L29/80 H , H01L29/80 V , H01L21/28 301B , H01L29/50 J , H01L29/78 652C

Fターム (18件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104FF13 , 4M104GG11 , 4M104HH15 , 5F102FA03 , 5F102GB04 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

III族窒化物半導体を有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-003368 出願人：株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (8件)

III族窒化物半導体を有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-003368 出願人：株式会社豊田中央研究所
半導体積層構造、トランジスタ素子、およびトランジスタ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-092615 出願人：日本碍子株式会社
窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びHEMT用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-158143 出願人：住友電気工業株式会社, インスティテュートオブマテリアルズリサーチアンドエンジニアリング

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