半導体装置及びその作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-336491
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173596
出願日： 2005年11月22日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】新たな方法により基板から薄膜トランジスタ、及び該薄膜トランジスタを有する回路や半導体装置を分離し、可撓性を有する基板へ転置する方法を提供することを課題とする。【解決手段】絶縁膜に広い、又は複数の開口部を形成し、該開口部に薄膜トランジスタに接続された導電膜を形成し、その後、剥離層を用いて、薄膜トランジスタを有する層を、導電膜等が形成された基板へ転置することを特徴とする。さらに加えて本発明の薄膜トランジスタは、レーザ照射により結晶化された半導体膜を有し、レーザ照射時において、剥離層が露出することを防止し、直接剥離層にレーザ照射されないことを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

第1の基板上に剥離層を選択的に形成し、前記剥離層上に複数の薄膜トランジスタを有する層を形成し、前記薄膜トランジスタの半導体膜の一部が露出するように第1の開口部、及び前記第1の基板が露出するように前記剥離層間に第2の開口部を形成し、前記第1の開口部及び第2の開口部に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜を加工して、第1の開口部には配線を、第2の開口部にはソース電極又はドレイン電極を形成し、前記剥離層を露出するように第3の開口部を形成し、前記第3の開口部にエッチング剤を導入して前記剥離層を除去することにより、前記第1の基板から前記複数の薄膜トランジスタを有する層を分離し、前記配線と、第2の基板上に設けられた第2の導電膜とが電気的に接続するように、前記複数の薄膜トランジスタを有する層と前記第2の基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/20 , G06K 19/077 , G06K 19/07

FI (5件)：

H01L27/12 B , H01L29/78 627D , H01L21/20 , G06K19/00 K , G06K19/00 H

Fターム (128件)：

5B035AA04 , 5B035BA05 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG24 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ12 , 5F110QQ16 , 5F110QQ28 , 5F152AA03 , 5F152AA06 , 5F152AA14 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152CC03 , 5F152CD09 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CD22 , 5F152CD23 , 5F152CD27 , 5F152CE03 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE14 , 5F152CE23 , 5F152CE24 , 5F152CE27 , 5F152CE45 , 5F152CF18 , 5F152CG10 , 5F152CG13 , 5F152DD07 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF05 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF22 , 5F152FF28 , 5F152FF30 , 5F152FF32 , 5F152FF36 , 5F152FF47 , 5F152FG01 , 5F152FG04 , 5F152FG18 , 5F152FG23 , 5F152FG29 , 5F152FH05 , 5F152FH18 , 5F152FH19 , 5F152LL04 , 5F152LP01 , 5F152LP08 , 5F152LP09 , 5F152MM04 , 5F152NN16 , 5F152NN20 , 5F152NN30 , 5F152NP17 , 5F152NP19 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ12

引用特許：

出願人引用 (1件)

表示装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-086457 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (6件)

アクティブマトリクス型表示装置および薄膜トランジスタ型表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-019128 出願人：セイコーエプソン株式会社
発光装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-176571 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-276315 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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