特許
J-GLOBAL ID：200903078594180660

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
柴田 寛

柴田 寛 について

, 
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について

, 
▲ひろ▼木 正明

▲ひろ▼木 正明 について

, 
秋葉 麻衣

秋葉 麻衣 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-356339
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243304
出願日： 2002年12月09日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 基板処理の効率を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体装置の作製方法またはレーザー照射方法の提供を課題とする。【解決手段】 アイランドを単数または複数含む島状の半導体膜(サブアイランド)をパターニングによって形成する。次に、レーザー光の照射により該サブアイランドの結晶性を高め、その後サブアイランドをパターニングすることでアイランドを形成する。さらにサブアイランドのパターン情報から、少なくともサブアイランドにレーザー光が照射されるように、基板上におけるレーザー光の走査経路を定める。つまり本発明では、基板全体にレーザー光を照射するのではなく、少なくとも必要不可欠な部分が最低限結晶化できるようにレーザー光を走査する。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体膜を成膜し、前記半導体膜をパターニングしてサブアイランドとマーカーとを形成し、前記サブアイランドのパターン情報から、前記サブアイランドを含むようにレーザー光のビームスポットの走査方向に対して垂直方向における幅と、前記ビームスポットの走査経路とを定め、前記ビームスポットの走査方向に対し垂直方向における幅を、スリットを用いて制御し、前記マーカーを基準として、前記走査経路に従って前記ビームスポットを走査することで前記サブアイランドの結晶性を高め、前記結晶性が高められたサブアイランドをパターニングすることでアイランドを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/268 T ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 C
Fターム (136件)：
2H092GA29 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA07 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BA11 ,  5F052BA15 ,  5F052BB01 ,  5F052BB04 ,  5F052BB05 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA16 ,  5F052FA03 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052FA22 ,  5F052JA02 ,  5F052JA03 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP10 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM