半導体装置の作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-356339
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243304
出願日： 2002年12月09日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】基板処理の効率を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体装置の作製方法またはレーザー照射方法の提供を課題とする。【解決手段】アイランドを単数または複数含む島状の半導体膜(サブアイランド)をパターニングによって形成する。次に、レーザー光の照射により該サブアイランドの結晶性を高め、その後サブアイランドをパターニングすることでアイランドを形成する。さらにサブアイランドのパターン情報から、少なくともサブアイランドにレーザー光が照射されるように、基板上におけるレーザー光の走査経路を定める。つまり本発明では、基板全体にレーザー光を照射するのではなく、少なくとも必要不可欠な部分が最低限結晶化できるようにレーザー光を走査する。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体膜を成膜し、前記半導体膜をパターニングしてサブアイランドとマーカーとを形成し、前記サブアイランドのパターン情報から、前記サブアイランドを含むようにレーザー光のビームスポットの走査方向に対して垂直方向における幅と、前記ビームスポットの走査経路とを定め、前記ビームスポットの走査方向に対し垂直方向における幅を、スリットを用いて制御し、前記マーカーを基準として、前記走査経路に従って前記ビームスポットを走査することで前記サブアイランドの結晶性を高め、前記結晶性が高められたサブアイランドをパターニングすることでアイランドを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 J , H01L 21/268 T , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 C

Fターム (136件)：

2H092GA29 , 2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092KA04 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA24 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 2H092PA07 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA07 , 5F052BA11 , 5F052BA15 , 5F052BB01 , 5F052BB04 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA16 , 5F052FA03 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052FA22 , 5F052JA02 , 5F052JA03 , 5F052JA04 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE31 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110PP10 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (2件)

レーザアニール装置及び多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-155892 出願人：株式会社東芝
レーザー光照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-076813 出願人：三洋電機株式会社

審査官引用 (9件)

レーザアニール装置及びこの装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-079477 出願人：松下電器産業株式会社
レーザアニール装置及び多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-155892 出願人：株式会社東芝
特開昭57-109322

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