特許
J-GLOBAL ID：200903066932427180
半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-329330
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152410
出願日： 2007年12月20日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：
【課題】半導体素子の突起電極と配線基板の接続電極とを、半導体素子・配線基板間をアンダーフィル材樹脂組成物層で充填して接続するのに、樹脂層中でのボイドの発生を効果的に抑制できる半導体装置の製造装置を実現する。【解決手段】特に、アンダーフィル材樹脂組成物層をフィルム状の膜を用いて実施する場合においても、半導体製造装置であるフリップチップボンダの加圧ツールヘッドを、複数の加圧領域に分割し、またそれらの加圧が、圧力や加圧タイミングなどのシーケンスが互いに独立して実施可能とすることによって、ボイドの発生を大幅に抑制することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子を配線基板にフリップチップ実装する半導体装置の製造装置であって、
前記半導体素子における突起電極が形成されていない背面に接触して、前記半導体素子側から前記配線基板側に対して加圧する加圧手段を有し、
前記加圧手段が、前記背面の一部の第1の領域を加圧する第1の加圧部と、前記第1領域と異なる第2の領域を加圧するとともに前記第1の加圧部と独立に制御可能な第2の加圧部とを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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