半導体デバイス用洗浄液、および洗浄方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡辺望稔 , 三和晴子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-325827
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260249
出願日： 2008年12月22日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】本発明は、環境負荷が低く、洗浄対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、および、合金を腐食することなく、短時間、低温度で、フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣、および、アッシング残渣などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる洗浄液と、その洗浄方法を提供することを課題とする。【解決手段】還元剤および界面活性剤を含み、pHが10〜14である半導体デバイス用洗浄液。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

還元剤および界面活性剤を含み、pHが10〜14である半導体デバイス用洗浄液。

IPC (9件)：

H01L 21/304 , C11D 3/02 , C11D 3/26 , C11D 1/62 , C11D 1/58 , C11D 1/722 , C11D 1/72 , C11D 3/43 , H01L 21/027

FI (10件)：

H01L21/304 647B , H01L21/304 647A , C11D3/02 , C11D3/26 , C11D1/62 , C11D1/58 , C11D1/722 , C11D1/72 , C11D3/43 , H01L21/30 572B

Fターム (51件)：

4H003AC08 , 4H003AC23 , 4H003AE05 , 4H003AE08 , 4H003BA12 , 4H003DA15 , 4H003DB03 , 4H003DC01 , 4H003EA05 , 4H003EA12 , 4H003EA21 , 4H003EB13 , 4H003EB19 , 4H003EB24 , 4H003ED28 , 4H003ED31 , 4H003EE02 , 4H003FA04 , 4H003FA07 , 4H003FA15 , 4H003FA28 , 5F046MA02 , 5F157AA63 , 5F157AA64 , 5F157AA65 , 5F157AB02 , 5F157AB89 , 5F157AC01 , 5F157AC13 , 5F157BB01 , 5F157BB11 , 5F157BC02 , 5F157BC07 , 5F157BC18 , 5F157BC54 , 5F157BD02 , 5F157BD03 , 5F157BD06 , 5F157BE12 , 5F157BE42 , 5F157BF02 , 5F157BF32 , 5F157BF38 , 5F157BF39 , 5F157BF59 , 5F157DA11 , 5F157DB03 , 5F157DB13 , 5F157DB45 , 5F157DB57 , 5F157DC00

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭62-49355号公報
特開昭64-42653号公報
特開平4-289866号公報

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審査官引用 (9件)

洗浄組成物およびこれを用いた洗浄方法と洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-310256 出願人：日本電気株式会社
液晶パネル用配向膜の剥離液
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-165167 出願人：三洋化成工業株式会社
レジスト用剥離剤組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-113427 出願人：花王株式会社

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