特許
J-GLOBAL ID：200903067176962553
ポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板およびレジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-132407
公開番号（公開出願番号）：特開2001-312052
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 3.0μm以上のレジスト被膜を段差基板上に、幅0.8μm以下のパターンを形成する際、垂直性のよく形成でき、ベーク処理に依存性がないポジ型ホトレジスト組成物と感光性膜付基板とレジストパターンの形成方法の提供。【解決手段】 (A)全水酸基の水素原子の一部が1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換されたアルカリ可溶性ノボラック樹脂と(B)沸点が200〜350°Cの高沸点有機溶剤とを含むポジ型ホトレジスト組成物。
請求項（抜粋）：
(A)全フェノール性水酸基の水素原子の一部が1,2-ナフトキノンジアジドスルホニル基で置換されているアルカリ可溶性ノボラック樹脂、および(B)沸点が200〜350°Cの高沸点有機溶剤を含有してなるポジ型ホトレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/004 501
, G03F 7/023 511
, H01L 21/027
G03F 7/004 501
, G03F 7/023 511
, H01L 21/30 502 R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA09
, 2H025AB20
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025BE02
, 2H025BJ05
, 2H025CB29
, 2H025CC03
, 2H025DA20
