特許
J-GLOBAL ID：200903067186925095

半導体レーザ素子、半導体レーザ装置および光学式情報再生装置

発明者：
伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について

, 
山崎 幸生

山崎 幸生 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112979
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298243
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】 光ピックアップ等へ応用して最適な窒化物半導体レーザ素子を提供し、また、集光特性の優れた光学式情報再生装置を実現する。【解決手段】 本発明の半導体レーザ素子は、GaN基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、GaNコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記GaNコンタクト層の膜厚が、0.07μm以上80μm以下であることを特徴とする。また、本発明の光学式情報再生装置は上記半導体レーザ素子を光源として備える。
請求項（抜粋）：
GaN基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、GaNコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記GaNコンタクト層の膜厚が、0.07μm以上80μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (5件)：
H01S 5/343 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/22 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/22
FI (5件)：
H01S 5/343 ,  G11B 7/125 A ,  G11B 7/22 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/22
Fターム (14件)：
5D119AA43 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5D119NA04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA32 ,  5F073EA15 ,  5F073EA19 ,  5F073FA21
引用特許：
審査官引用 (6件)
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