強磁性トンネル接合構造及びその製造方法並びに該強磁性トンネル接合を用いた磁気メモリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮本恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265231
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078185
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】強磁性トンネル接合の接合部エッチング深さ制御性の向上、接合面積の微小化に伴う磁気不安定性の抑制、接合歩留まりの向上が可能な強磁性トンネル接合構造及びその製造方法の提供。【解決手段】下部電極にピン層を有する交換バイアス型強磁性トンネル接合または下部電極が硬質磁性層からなる保磁力差型強磁性トンネル接合の接合部エッチング工程において、フリー層または軟質磁性層23の途中でエッチングを停止し、エッチング終了後のエッチング面の最表面にフリー層または軟質磁性層23を残し、残留部のシート抵抗がトンネル抵抗に比べて、1/10以上、好ましくは1000倍以上となるように残留部の膜厚を設定し、または残留部に表面処理を施す。

請求項（抜粋）：

少なくとも、下部強磁性体層とトンネルバリア層と上部強磁性体層とが積層され、その上層に形成される上部電極との接合領域以外の前記上部強磁性体層がエッチングされて形成される強磁性トンネル接合において、前記上部強磁性層のエッチング領域の少なくとも一部に、前記上部強磁性体層のエッチング残留層が形成されていることを特徴とする強磁性トンネル接合。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 27/105

FI (6件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , G01R 33/06 R , H01L 27/10 447

Fターム (23件)：

2G017AA01 , 2G017AB07 , 2G017AD54 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA05 , 5D034BA08 , 5D034BA12 , 5D034BA15 , 5D034CA04 , 5D034CA08 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AC05 , 5E049BA06 , 5E049DB12 , 5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR03 , 5F083PR04

引用特許：

審査官引用 (8件)

スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-120504 出願人：株式会社日立製作所
スピン依存スイッチング素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-269106 出願人：株式会社東芝
試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-288657 出願人：株式会社日立製作所, 日立金属株式会社

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