特許
J-GLOBAL ID:200903027632770643

試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高田 幸彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-288657
公開番号(公開出願番号):特開2001-107272
出願日: 1999年10月08日
公開日(公表日): 2001年04月17日
要約:
【要約】【課題】低試料温度にても、高エッチング速度を確保でき、腐食生成物を除去するような後処理工程をなくし、プラズマに使用して残留した塩素成分を防食処理すれば足りる試料の処理方法,装置並びに磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】NiFe合金から成るシード層およびこれに接続したNiFe合金から成る上部磁極と、シード層に密着する酸化膜から成るギャップ層と、およびギャップ層に密着するNiFe合金から成るシールド層とから積層膜を形成し、上部磁極をマスクにしてシード層を塩素を含むガス系を用い、プラズマ処理を行ってエッチング加工を行い、その後残留塩素成分を液体による除去・乾燥処理を行って除去する。
請求項(抜粋):
基板上に形成され、NiFe合金またはNiFeCo合金からなる層を少なくとも一層を含む積層膜をエッチング処理室において塩素を含むガス系によるガスプラズマにより試料温度200°C以下でエッチング処理する第1のステップと、該第1のステップの処理により露出した積層物を少なくとも一つの液体にて洗浄して前記積層物に付着した残留塩素成分を除去し、エッチング中に付着した側壁付着膜を剥離する第2のステップと、および洗浄後の試料を乾燥させる第3のステップとを有して構成される試料の処理方法。
IPC (2件):
C23F 4/00 ,  G11B 5/31
FI (3件):
C23F 4/00 A ,  G11B 5/31 D ,  G11B 5/31 C
Fターム (17件):
4K057DA12 ,  4K057DB03 ,  4K057DC10 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE04 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DK10 ,  4K057DM02 ,  4K057DM36 ,  4K057DN01 ,  5D033BA03 ,  5D033BA13 ,  5D033CA06 ,  5D033DA04 ,  5D033DA08
引用特許:
審査官引用 (11件)
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