特許
J-GLOBAL ID：200903067390530377
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池田 憲保
, 福田 修一
, 佐々木 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-315944
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141126
出願日： 2007年12月06日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】 視認性を阻害することなく限られたスペースにマーク情報を刻印することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 配線基板1上に形成された半導体チップ6を覆う封止部10を有する半導体装置100であって、封止部10の上面に形成された第1のマーク11と、第1のマーク11の形成領域内に第1のマーク11よりも小さく形成された第2のマーク12とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線基板上に形成された半導体チップを覆う封止部を有する半導体装置において、
封止部の上面に形成された第1のマークと、
第1のマークの形成領域内に第1のマークよりも小さく形成された第2のマークとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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