半導体装置の製造方法と製造装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-185109
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021876
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】薄い酸化窒化膜を量産性良く製造することのできる半導体装置の製造方法または製造装置を提供する。【解決手段】 (a)第1と第2のガス導入口を備えた反応チャンバ内にシリコンウエハを搬送する工程と、(b)第1のガス導入口から酸化性雰囲気を導入し、シリコンウエハを酸化温度まで昇温する工程と、(c)第1のガス導入口からウエット酸化性雰囲気を導入し、シリコンウエハ表面に熱酸化膜を形成する工程と、(d)反応チャンバ内を不活性ガスでパージし、残留水分を約1000ppm以下にする工程と、(e)700°C以上かつ酸化温度より高いアニール温度を維持しつつ、第2のガス導入口からチャンバ内にNOまたはN2 Oを含む雰囲気を導入し、熱酸化膜中に窒素を導入し、酸化窒化膜に変換する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

(a)少なくとも第1と第2のガス導入口を備えた反応チャンバ内にシリコンウエハを搬送し、Oリングを用いて反応チャンバをシールする工程と、(b)前記工程(a)の後、前記第1のガス導入口から酸化性雰囲気を導入して前記反応チャンバ内を酸化性雰囲気に保ちつつ、前記シリコンウエハを酸化温度まで昇温する工程と、(c)前記工程(b)の後、前記酸化温度を保ちつつ、前記反応チャンバ内に前記第1のガス導入口からウエット酸化性雰囲気を導入し、前記シリコンウエハ表面に熱酸化膜を形成する工程と、(d)前記工程(c)の後、前記反応チャンバ内を不活性ガスでパージし、残留水分を約1000ppm以下にする工程と、(e)前記工程(d)の後、前記シリコンウエハを700°C以上かつ前記酸化温度より高いアニール温度を維持しつつ、前記第2のガス導入口からチャンバ内にNOまたはN2 Oを含む雰囲気を導入し、前記熱酸化膜中に窒素を導入し、酸化窒化膜に変換する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/318 C , H01L 21/31 E

Fターム (35件)：

5F045AA03 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD11 , 5F045AD13 , 5F045AE29 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045BB16 , 5F045CB05 , 5F045DP19 , 5F045EE04 , 5F045EK06 , 5F045GH10 , 5F058BA06 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF02 , 5F058BF54 , 5F058BF55 , 5F058BF59 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF68 , 5F058BF80 , 5F058BH04 , 5F058BH20 , 5F058BJ01 , 5F058BJ07

引用特許：

審査官引用 (7件)

酸化膜の作製方法及び酸化膜の作製装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-291764 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
ゲート絶縁膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-183738 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-305966 出願人：株式会社東芝

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