面発光半導体レーザの製造方法および電子素子の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-139196
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347743
出願日： 2005年05月12日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】シングル横モード様の単峰性ビームでのレーザ発振が可能な面発光半導体レーザを容易にしかも高い歩留まりで製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】 n型半導体基板11上にポスト型メサ構造の面発光半導体レーザを製造する場合に、メサ部を形成し、p側電極20およびn側電極23まで形成した後、p側電極20およびn側電極23間に電圧を印加して出力光を取り出しながら面発光半導体レーザを水蒸気雰囲気に晒すことにより、p型DBR層17の最上層のp型Alw Ga1-w As層17bにAl酸化層21を形成し、凹レンズ様の屈折率分布を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の反射層と、上記第1の反射層上の活性層と、上記活性層上の第2の反射層とを有し、上記第2の反射層から出力光を取り出す面発光半導体レーザの製造方法において、所定の強度分布を有する光を照射しながら酸化を行うことにより上記第2の反射層上に酸化層を形成するようにしたことを特徴とする面発光半導体レーザの製造方法。

IPC (6件)：

H01S5/183 , H01L21/316 , H01L21/338 , H01L21/76 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (4件)：

H01S5/183 , H01L21/94 A , H01L21/76 M , H01L29/80 H

Fターム (39件)：

4M108AB04 , 4M108AC01 , 4M108AC21 , 4M108AC26 , 4M108AD02 , 4M108AD05 , 4M108AD12 , 5F032AA13 , 5F032CA05 , 5F032CA10 , 5F032CA16 , 5F032DA53 , 5F102FA08 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GJ05 , 5F102GL05 , 5F102GM06 , 5F102HC00 , 5F102HC01 , 5F173AC03 , 5F173AC13 , 5F173AC35 , 5F173AC42 , 5F173AC52 , 5F173AH03 , 5F173AL06 , 5F173AL14 , 5F173AP05 , 5F173AP33 , 5F173AP45 , 5F173AP67 , 5F173AP73 , 5F173AR33 , 5F173AR55 , 5F173AR64 , 5F173AR66 , 5F173AR93

引用特許：

出願人引用 (2件)

面発光半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-348101 出願人：古河電気工業株式会社
面発光半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-049909 出願人：松下電子工業株式会社

審査官引用 (4件)

光学素子、それを使用した面発光レーザ装置及び端面発光型半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-027519 出願人：日本電気株式会社
Alを含む半導体材料からなるレンズ、それを用いた面型光素子及び、レンズの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-317530 出願人：キヤノン株式会社
紫外発光体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-246600 出願人：科学技術振興事業団

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