特許
J-GLOBAL ID：200903067603349914

製造装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
村上 雅一

村上 雅一 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-284342
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079528
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】 本発明は、EL材料の利用効率を高め、且つ、EL層成膜の均一性やスループットの優れた成膜装置の一つである蒸着装置及び蒸着方法を提供するものである。【解決手段】本発明は、シースヒータで基板を均一に真空加熱した後、チャンバー内において、蒸着材料が封入された容器202を設置した蒸着源ホルダを、基板201に対してあるピッチで移動することを特徴とする。また、膜厚モニタ201も蒸着ホルダと一体化されて移動する。また、膜厚モニタ201で測定された値に従って蒸着源ホルダの移動速度も調節することで膜厚を均一にする。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
ロード室、該ロード室に連結された搬送室、及び該搬送室に連結された複数の成膜室と処理室を有する製造装置であって、 前記複数の成膜室は、前記成膜室内を真空にする真空排気処理室と連結され、マスクと基板の位置あわせを行うアライメント手段と、基板保持手段と、蒸着源ホルダと、前記蒸着源ホルダを移動させる手段と、を有し、 前記蒸着源ホルダは蒸着材料が封入された容器と、前記容器を加熱する手段と、前記容器上に設けられたシャッターと、を有し、 前記処理室は、真空にする真空排気処理室と連結され、且つ、平板ヒーターが間隔を開けて複数重ねて配置され、複数の基板を真空加熱することができることを特徴とする製造装置。
IPC (3件)：
H05B33/10 ,  C23C14/24 ,  H05B33/14
FI (3件)：
H05B33/10 ,  C23C14/24 K ,  H05B33/14 A
Fターム (24件)：
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DA02 ,  4K029DA08 ,  4K029DA12 ,  4K029DB12 ,  4K029DB13 ,  4K029DB14 ,  4K029DB15 ,  4K029EA01 ,  4K029FA05 ,  4K029FA06 ,  4K029HA02 ,  4K029JA01 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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