特許
J-GLOBAL ID:200903067744424936
成膜装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-146001
公開番号(公開出願番号):特開2009-295685
出願日: 2008年06月03日
公開日(公表日): 2009年12月17日
要約:
【課題】半導体基板などを加熱雰囲気中で成膜させる際には、昇温させるだけでも半導体基板には相当の反り(湾曲)が発生する。反りが原因で、基板上に成膜させた膜質の均質性が劣化したり、基板にクラックが発生しやすくなるなどの問題が起こる。【解決手段】基板の主表面の上側と下側との両方から基板を加熱することにより、主表面の上側と下側との温度勾配(温度差)を小さくし、基板の反りを抑制する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板を保持するサセプタと、
前記サセプタの一方の主表面に対向するように配置された第1の加熱部材と、
前記サセプタの、前記一方の主表面と反対側に位置する他方の主表面に対向するように配置された第2の加熱部材と、
前記第1の加熱部材および前記第2の加熱部材のそれぞれの加熱温度を独立に制御可能な制御部とを備える、成膜装置。
IPC (4件):
H01L 21/205
, H01L 21/203
, C23C 16/46
, C23C 16/52
FI (4件):
H01L21/205
, H01L21/203 M
, C23C16/46
, C23C16/52
Fターム (43件):
4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030KA23
, 4K030KA41
, 4K030LA14
, 5F045AA02
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AD09
, 5F045AD14
, 5F045AF03
, 5F045AF09
, 5F045BB11
, 5F045DA52
, 5F045DA53
, 5F045DP04
, 5F045DQ10
, 5F045EC01
, 5F045EE20
, 5F045EK07
, 5F045EK22
, 5F045EK25
, 5F045GB04
, 5F103AA04
, 5F103BB04
, 5F103BB42
, 5F103BB51
, 5F103BB57
, 5F103DD05
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103RR10
引用特許:
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