特許
J-GLOBAL ID：200903002771190691

アルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法

発明者：
纐纈 明伯

纐纈 明伯 について

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熊谷 義直

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永島 徹

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高田 和哉

高田 和哉 について

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柳 裕之

柳 裕之 について

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箱守 明

箱守 明 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-192789
公開番号（公開出願番号）：特開2008-019130
出願日： 2006年07月13日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】ハイドライド気相エピタキシャル成長法においてアルミニウム系III族窒化物結晶膜を製造するに当たり、より高速で、より欠陥の少ない単結晶からなる結晶膜であって、膜の平坦性が良好な結晶膜を製造することのできる方法を提供する。【解決手段】反応容器内でハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて、加熱基板24上にアルミニウム系III族窒化物結晶を成長させる工程を含むアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法において、内部に発熱抵抗体が埋設された窒化アルミニウムと窒化ホウ素との複合焼結体のようなセラミックスからなり加熱機能を有する支持台23の上に基板24を保持し、基板24を、たとえば1150°C以上といった高温であって、反応領域における反応容器壁の温度より高い温度に保持して結晶の成長を行う。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
反応容器内でアルミニウムを含むIII族元素源ガスと窒素源ガスとを反応させて、該反応容器内に配設された基板支持台に保持された加熱基板上にアルミニウム系III族窒化物結晶を成長させる工程を含むアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法において、前記基板支持台としてセラミックス製の基板支持台を用いると共に、基板温度を反応領域における反応容器壁の温度より高温に保持して前記工程におけるアルミニウム系III族窒化物結晶の成長を行うことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/12 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/38 C ,  C30B25/12 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
Fターム (51件)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EG04 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TF01 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030KA46 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045EB15 ,  5F045EK07 ,  5F045EK08 ,  5F045EK27 ,  5F045EK30 ,  5F045EM09 ,  5F045GB05 ,  5F045GB13 ,  5F045GB19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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