特許
J-GLOBAL ID:200903067780347867

配線基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-178452
公開番号(公開出願番号):特開2006-351963
出願日: 2005年06月17日
公開日(公表日): 2006年12月28日
要約:
【目的】 ビアの断面形状を、複数の相似形の一部が重なった形状とすることで、高密度化への阻害を少なくすると共に、効果的にビア断面積を増加させ、配線抵抗の上昇を防止することにより安定した半導体素子の動作を実現することができる配線基板及びその製造方法を提供する。【構成】 複数の配線層11,13と、配線層11,13の間に設けられる絶縁層12と、絶縁層12に設けられ配線層11,13を電気的に接続するビア16とを有し、半導体素子又は電子部品を搭載する配線基板である。この配線基板において、配線層11,13に平行な面で得られるビア16の断面形状が、複数の相似形(円)の一部が重なったものである。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体素子又は電子部品を搭載する配線基板において、複数の配線層と、前記配線層の間に設けられる絶縁層と、前記絶縁層に設けられ前記複数の配線層を電気的に接続するビアとを有し、前記ビアのうち少なくとも1つは、前記配線層に平行な面で得られるビアの断面形状が、複数の相似形の一部が重なった形状となるものであることを特徴とする配線基板。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H05K3/46 N ,  H01L23/12 Q ,  H05K3/46 Q
Fターム (17件):
5E346AA43 ,  5E346BB03 ,  5E346BB04 ,  5E346CC32 ,  5E346CC34 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC40 ,  5E346FF05 ,  5E346FF06 ,  5E346FF07 ,  5E346FF09 ,  5E346FF10 ,  5E346FF15 ,  5E346FF18 ,  5E346HH32 ,  5E346HH40
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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