特許
J-GLOBAL ID：200903067801743830

半導体装置の作製方法

発明者：
丸山 純矢

丸山 純矢 について

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神保 安弘

神保 安弘 について

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小路 博信

小路 博信 について

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桑原 秀明

桑原 秀明 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-113778
公開番号（公開出願番号）：特開2007-318105
出願日： 2007年04月24日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】比較的低温(500°C未満)のプロセスで作製される素子を基板から剥離し、可撓性基板(代表的にはプラスチックフィルム)に転置する技術を提供する。【解決手段】既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて、ガラス基板上にモリブデン膜(Mo膜)及びその表面に酸化膜を形成し、モリブデン膜及びその表面上に比較的低温(500°C未満)のプロセスで作製される素子を形成した後、その素子をガラス基板から剥離し、可撓性基板に転置する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にモリブデン膜を形成し、 前記モリブデン膜上に酸化モリブデン膜を形成し、 前記酸化モリブデン膜上に絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜上に非晶質構造を有する半導体膜を形成し、 前記絶縁膜及び前記非晶質構造を有する半導体膜を前記基板から剥離して可撓性基板に前記絶縁膜及び前記非晶質構造を有する半導体膜を転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01Q 1/38
FI (5件)：
H01L27/12 B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 626C ,  H01Q1/38
Fターム (70件)：
5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB13 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE41 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL21 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN80 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ21 ,  5J046AA19 ,  5J046PA07 ,  5J046PA09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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