フリップチップ型の窒化物半導体発光素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高村順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-379216
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303430
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】光透過性の伝導性酸化物層を導入し反射性オーミックコンタクト構造の反射効果を極大化することにより高い発光輝度を有することが可能な高輝度の窒化物発光素子を提供すること。【解決手段】フリップチップ型の窒化物半導体発光素子20は、p型及びn型窒化物半導体層24、26とその間に形成された活性層25を有する。上記p型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層27aと、上記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層27bと、上記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層27cを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型及びn型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有するフリップチップ型の窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層上に形成されたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層の上に形成された光透過性の伝導性酸化物層と、前記光透過性の伝導性酸化物層上に形成された高反射性の金属層とを備えていることを特徴とするフリップチップ型の窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C

Fターム (13件)：

5F041AA03 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA86 , 5F041CA87 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CB15 , 5F041DA03 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041DA19

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第5、563、422号明細書
III族窒化物系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-358549 出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (9件)

窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-277959 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物系発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-261354 出願人：三星電子株式会社, 光州科學技術院
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-207942 出願人：日立電線株式会社

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