特許
J-GLOBAL ID：200903068122082996

半導体装置及びその製造方法

発明者：
宮崎 裕一

宮崎 裕一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-096227
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278771
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 何らかの形で構造体の剛性を上げることにより、反りの発生を防ぐ。【解決手段】 半導体装置10は、配線基板51と、配線基板51上に設けられたLSIチップ52と、LSIチップ52上に設けられた放熱板11と、放熱板11と配線基板51との間の空隙の周縁部に介挿された補強板12と、放熱板11と配線基板51との間の空隙の配線基板51上に設けられたコンデンサ71と、放熱板11と配線基板51との間の空隙に充填された樹脂13と、を備えている。LSIチップ52、配線基板51、補強板12及び放熱板11によって囲まれた空隙には、樹脂13が充填されている。樹脂13は、空隙部分の存在によって発生する半導体装置10全体の熱による反りを抑制する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
配線基板と、この配線基板上に設けられた半導体チップと、この半導体チップ上に設けられた放熱板と、この放熱板と前記配線基板との間の空隙に充填された樹脂と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/00 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29
FI (4件)：
H01L25/00 B ,  H01L23/12 501B ,  H01L23/28 B ,  H01L23/36 A
Fターム (10件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA04 ,  4M109DB01 ,  4M109EC04 ,  4M109EC05 ,  5F136BA30 ,  5F136DA17 ,  5F136EA23 ,  5F136FA03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-389383   出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (6件)
  • 回路装置、その製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-159777   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-117508   出願人：松下電工株式会社, 財団法人工業技術研究院
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-284314   出願人：ソニー株式会社
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