特許
J-GLOBAL ID:200903068229056807
タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造、タンタルチューブとPIT炭素芯の製造方法、タンタルチューブとPIT炭素芯、タンタル炭化物配線の製造方法、タンタル炭化物配線
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
梶 良之
, 須原 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-263429
公開番号(公開出願番号):特開2008-081362
出願日: 2006年09月27日
公開日(公表日): 2008年04月10日
要約:
【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるTa2O5が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ta2O5を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面とをそれぞれ片面又は両面を重ね合わせた状態で真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるTa2O5が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ta2O5を除去した後、前記真空熱処理炉内温度を更に上昇させて、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散結合で分子接合する温度条件下で前記タンタル若しくはタンタル合金表面と前記炭素基板表面を固相拡散分子結合することを特徴とするタンタルと炭素結合物の製造方法。
IPC (4件):
C04B 37/02
, C01B 31/30
, C23C 8/64
, B23K 20/00
FI (4件):
C04B37/02 C
, C01B31/30
, C23C8/64
, B23K20/00 310F
Fターム (54件):
4E067AA26
, 4E067BA03
, 4E067DA01
, 4E067DC05
, 4G026BA13
, 4G026BB21
, 4G026BB37
, 4G026BC02
, 4G026BD01
, 4G026BD08
, 4G026BE02
, 4G026BE04
, 4G026BF57
, 4G026BG03
, 4G026BG23
, 4G026BG25
, 4G026BH06
, 4G026BH13
, 4G146MA06
, 4G146MB03
, 4G146MB07
, 4G146MB13
, 4G146MB14
, 4G146MB27
, 4G146NA01
, 4G146NA02
, 4G146NA21
, 4G146NA24
, 4G146NB06
, 4G146NB07
, 4G146NB08
, 4G146NB09
, 4G146NB15
, 4G146NB18
, 4G146NB19
, 4G146QA02
, 4G146QA06
, 4G146QA08
, 4M104AA03
, 4M104BB34
, 4M104DD22
, 4M104DD34
, 4M104DD43
, 4M104DD78
, 4M104DD83
, 5F033GG01
, 5F033HH36
, 5F033PP06
, 5F033PP19
, 5F033QQ53
, 5F033QQ73
, 5F033QQ80
, 5F033WW03
, 5F033WW05
引用特許:
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