モールドの欠陥修正方法及びモールド

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-032131
公開番号（公開出願番号）：特開2007-210191
出願日： 2006年02月09日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：

【課題】インプリント法におけるモールド破壊や転写パターン欠陥の原因になりうるモールドの微小欠陥を修正するモールドの修正方法、及び修正されたモールドを提供する。【解決手段】モールドの表面のみをレーザアニールすることでモールドの微小欠陥を修正する。比較的低温プロセスであるレーザアニールを用いることで、モールド表面の微小欠陥のみをアニールが可能となり、モールドのパターン形状を変形させることなく、微小欠陥のみを修復することが出来る。これにより、インプリントによるモールド破壊や転写パターン欠陥の原因になるモールドの微小欠陥を低減できるため、モールドの長寿命化と欠陥の少ない良好な転写パターン形成が可能となる。また、モールドの長寿命化によるインプリント法の大幅なコストダウンと、高品質の転写パターンが期待出来る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

インプリント用モールドに凹凸状パターンをドライエッチングで形成する際に生じる微小欠陥を修正する方法であって、該モールドの表面をアニールすることでモールドの微小欠陥を修正することを特徴とするモールドの欠陥修正方法。

IPC (5件)：

B29C 33/38 , H01L 21/306 , H01L 21/027 , B82B 3/00 , B82B 1/00

FI (5件)：

B29C33/38 , H01L21/302 105Z , H01L21/30 502D , B82B3/00 , B82B1/00

Fターム (15件)：

4F202AH73 , 4F202AJ02 , 4F202AJ06 , 4F202CA19 , 4F202CB01 , 4F202CB28 , 4F202CD07 , 4F202CD24 , 4F202CD30 , 5F004BA04 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004FA01 , 5F004FA05 , 5F046AA28

引用特許：

出願人引用 (1件)

パタ-ン形成方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-370629 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (8件)

表面創成方法、光学素子および型
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-349532 出願人：キヤノン株式会社
レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-303170 出願人：TDK株式会社
硬化ナノインプリントスタンプ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-364008 出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.

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