半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-015067
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213833
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】従来構造の半導体装置は、装置としての厚みが厚いか、比較的薄い構造にあっては生産性が良くない、構造的に信頼性に問題があるという問題点があった。【解決手段】配線基板2に穿設された貫通孔3の一方の開口部が、基板2の外方より金属フィルム4によって覆われ、貫通孔3の金属フィルム4上に半導体チップ5が直接搭載されてなることを特徴とする。ここで、配線基板2は両面樹脂基板であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

配線基板に穿設された貫通孔の一方の開口部が、前記基板の外方より金属フィルムによって覆われ、前記貫通孔の前記金属フィルム上に半導体チップが直接搭載されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 , H01L 23/373

FI (3件)：

H01L 23/12 L , H01L 23/12 J , H01L 23/36 M

引用特許：

審査官引用 (9件)

配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-257900 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭56-069888
特開平4-119653

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