特許
J-GLOBAL ID：200903068996089230
試料作製方法及び試料作製装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
亀谷 美明
, 金本 哲男
, 萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-188201
公開番号（公開出願番号）：特開2009-025133
出願日： 2007年07月19日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：
【課題】本発明は、TEMやSEM等の観察に用いる断面試料をイオンビームエッチング法により作製するに当たり、試料表面の凹凸の少ない試料を作製する方法及び装置を提供する。【解決手段】試料1又はイオン銃5を回転させることにより、試料に対するイオンビームの入射方向を変化させ、角度αが30〜90度及び-30〜-90度である場合の試料又はイオン銃の移動速度が、角度αが-30〜30度である場合の移動速度の1/3〜2/3とすることで、イオンビームエッチング法によって生じる筋状の表面凹凸をなくすことができる試料作製方法及び装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
平板状試料の上面の一部に遮蔽材を配置し、前記遮蔽材の上方からイオンビームを照射し、前記遮蔽材によって遮蔽された試料部分をイオンエッチングせずに残し、前記遮蔽材によって遮蔽されていない部分だけをイオンエッチングによって取り除く試料作製方法であって、
前記イオンビームを照射しながら前記試料を回転させ、かつ、
前記イオンビームの試料上面垂線に対する入射角度が30〜90度及び-30〜-90度である場合の試料回転速度V1を、前記入射角度が-30〜30度である場合の試料回転速度V2の1/3〜2/3とする
ことを特徴とする、試料作製方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
2G052AD32
, 2G052AD52
, 2G052EC14
, 2G052EC18
, 2G052GA34
, 2G052GA35
, 2G052JA09
出願人引用 (11件)
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特許第3263920号公報
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試料作製装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-197693
出願人：日本電子エンジニアリング株式会社
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イオンミーリング試料作製装置および試料ホルダ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-311318
出願人：日本電子エンジニアリング株式会社
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審査官引用 (2件)
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