発光ダイオード

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：和泉良彦 , 小林茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068464
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281553
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】基板、バッファ層、発光ダイオード素子構造の透明性を向上することにより、半導体内部で生成された紫外光を効率よく外部に取り出す。【解決手段】サファイア基板1の上に、アンドープAlGaN層4、Siドープn型AlGaN層5、SiドープAlN格子緩和層6、Siドープn型AlGaN短周期混晶超格子層7、Siドープn型AlGaNブロッキング層8、AlGaN単一量子井戸発光層9、Mgドープp型AlGaNブロッキング層10、Mgドープp型AlGaN短周期混晶超格子層11、p型オーミック電極12、パッド電極13、およびn型オーミック電極14を積層してなる発光ダイオード構造の下層に、低温成長AlN層2、pLPE-AlN層3を有する構成。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光層を含む発光ダイオード構造の下層に窒化アルミニウム層を有し、前記発光ダイオード構造と前記窒化アルミニウム層の少なくとも一部との間に再成長界面を有しないことを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E

Fターム (16件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA63 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CB15 , 5F041CB36

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086645 出願人：三菱電線工業株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-108117 出願人：昭和電工株式会社
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-024660 出願人：日本電信電話株式会社

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