特許
J-GLOBAL ID：200903069500851495
冷電子放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061283
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260299
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 簡易な作製方法で、等方的で安定な冷電子のエミッション特性制御が可能な冷電子放出素子を実現する。【解決手段】 ガラス基板1上に不純物拡散防止層8を介して半導体層2を成長して、その成長表面に形成された電界効果型トランジスタ(FET)と、このFETのドレイン領域6となる部分の半導体層をエッチング加工することによって形成された先端が先鋭化されたコーン型エミッタ10と、このエミッタに高電界をかけるための引出電極11から構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に成長した半導体層の成長表面に形成されたこの半導体層と絶縁膜、電極からなる電界効果型トランジスタ(FET)と、このFETのドレイン領域またはドレイン領域と接する部分の前記半導体層をエッチング加工することによって得られる1個または複数個からなるエミッタより構成したことを特徴とする冷電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
